Reines Graphitpulver

Partikelgröße: 35 ± 5 Mikrometer;

Verpackung: 5 kg Mindestbestellmenge;

Anwendung:

Hochreines Siliziumkarbidpulver ist der Rohstoff für das Siliziumkarbidwachstum nach der PVT-Methode und wird von synthetisierthochreines Graphitpulverund Silica-Pulver.

Um den Bedarf an Siliziumkarbid-Einkristallwachstum zu decken, sind Geräte zur Siliziumkarbid-Pulversynthese sehr wichtig geworden. In dieser Anlage reagieren hochreines Graphitpulver und Siliziumpulver direkt unter Hochtemperaturbedingungen durch einen präzisen Hochtemperatur-Syntheseprozess, um Siliziumkarbidpulver herzustellen.

Zu den wichtigsten technischen Schwierigkeiten der Syntheseausrüstung gehören die Hochtemperatur- und Hochvakuumabdichtung und -steuerung, die Wasserkühlung der Vakuumkammer, das Vakuum- und Messsystem, das elektrische Steuerungssystem sowie die Heiz- und Kopplungstechnologie des Pulversynthesetiegels.

Durch die Bewältigung dieser technischen Herausforderungen kann die Reinheit des synthetisierten Pulvers erstaunliche 99,9995 % erreichen und eine hervorragende Kristallqualitätsbasis für das anschließende Siliziumkarbidwachstum bieten.

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