Synthetische Graphitblöcke für CZ-Einkristallöfen

Synthetische Graphitblöcke für CZ-Einkristallöfen

Beschreibung

Synthetischer Graphit für den CZ-Einkristall-Ziehofen

 

Synthetischer Graphitwird für das Einkristall-Siliziumwachstum nach der CZ-Methode verwendet. Bei der Herstellung von monokristallinem Silizium wird in der Regel zunächst polykristallines oder amorphes Silizium hergestellt und anschließend Stäbe aus monokristallinem Silizium, die hauptsächlich bei der Herstellung von Halbleiterbauteilen verwendet werden, aus der Schmelze entweder im Direktziehverfahren oder im Suspensionszonenschmelzverfahren gezüchtet.


Derzeit ist das Direktziehverfahren (CZ-Verfahren) ein häufig verwendetes Verfahren zur Herstellung von monokristallinem Silizium, das mehrere Schritte zur Herstellung monokristalliner Siliziumbarren umfasst. Alle Prozesse zur Züchtung von Halbleiterkristallen finden bei hohen Temperaturen und in rauen Umgebungen statt. Daher sind die heißen Zonen industrieller Kristallzüchtungsöfen häufig mit Graphitkomponenten ausgestattet, die gegen hohe Temperaturen und Korrosion beständig sind.


Eine hohe Reinheit ist eine entscheidende Voraussetzung für Halbleitergraphit, insbesondere während des Kristallwachstums. Verunreinigungen im Graphit sind noch wichtigere Determinanten der Kristallqualität, daher sollte der Verunreinigungsgehalt unter 5 Teilen pro Million gehalten werden.

 

Bei SHJ Graphite greifen unsere Experten auf jahrzehntelange Erfahrung zurück, um die Besten auszuwählenGraphitmaterialienfür die CZ-Kristallzüchtungsöfen unserer Kunden.

 

Feinkörnige Graphitblöcke

 

SHJ Supply Graphite Materials (Feinkörniger Graphit) für CZ-Einkristall-Ziehofen

 

Das Einkristall-Siliziumwachstum mit der CZ-Methode beruht in hohem Maße auf hochreinen Graphitkomponenten und einer Graphitfilzisolierung. Wir bieten synthetischen Graphit für die Herstellung von anGraphitkomponentenin Einkristall-Silizium-Wachstumsöfen, wie Graphittiegeln und Graphitheizungen.

 

Graphite Materials for Semiconductor Crystal Growth

 

Vorteil

 

  • Produkte: Da die Kristallzüchtung ausschließlich bei ultrahohen Temperaturen und unter ultrareinen Bedingungen erfolgt, müssen Öfen aus äußerst robusten Komponenten bestehen. Als weltweit führender Anbieter von Graphittechnologie in diesem Bereich bietet SHJ Graphitmaterialien an, die sich ideal für die Herstellung hochreiner, hitze- und korrosionsbeständiger Graphitkomponenten für CZ-Kristallzüchtungsöfen eignen.
  • Technologie: Unsere Laborexperten spielen eine aktive Rolle bei der Festlegung von Qualitätsstandards für Graphitmaterialien. Unabhängig von den Besonderheiten des CZ-Ofens kann SHJ die richtigen Graphitblöcke für den Einsatz in einer Vielzahl von Graphitkomponenten im CZ-Ofen liefern. Um die perfekte Lösung zu finden, können Sie sich auf unsere umfassende Expertise im Bereich Graphitwerkstoffe verlassen.
  • Dienst:Als Hersteller von hochreinen Graphitprodukten gewährleisten wir außerdem die korrekte Handhabung und Verarbeitung entlang der gesamten Produktionskette, einschließlich Verpackung und Transport, und bieten fundierte technische Beratung für spezifische Anwendungen. Unsere Produkte und unser Fachwissen bieten eine starke Unterstützung für effiziente Kristallwachstumsprozesse.

 

Neben Graphitmaterialien bieten wir auch Graphitkomponenten für monokristalline Silizium-Kristallzüchtungsöfen an, darunter nicht nur Graphittiegel und Graphitheizer, sondern auch ein breites Sortiment an Graphit-Kohlenstofffilzen sowie CFC für Kristallzüchtungssysteme.

 

Wir verfügen über umfangreiches Know-how und Erfolge in der Kohlenstoffverarbeitung im In- und Ausland und können Graphit sowie Komponenten wie Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundwerkstoffe, Kohlenstofffilze und andere wärmeisolierende Materialien herstellen und verarbeiten. Wir sind besonders gut darin, die Ausbeute bearbeiteter Produkte wie Nuten und Löcher, die Gleichmäßigkeit der Toleranzen und die Konsistenz des Polierens sicherzustellen. SHJ arbeitet eng mit unseren Kunden zusammen, um die gemeinsame Entwicklung voranzutreiben.

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